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硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
硫化鍺晶體 GeS（Germanium Sulfide） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉿晶體 HfS2 （Hafnium Disulfide） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉬晶體（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶體結(jié)構：六邊形 類型：天然晶體 尺寸：~10mm-20mm 純度：99% 屬性：半導體
二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學性能：N型半導體 晶體結(jié)構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學性能：P型半導體 晶體結(jié)構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
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