硫化鍺晶體（百分之99.995） GeS

簡要描述：硫化鍺晶體 GeS（Germanium Sulfide）
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

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廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-05-07
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硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

Stoichiometric analysis of a single crystal GeS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

Raman spectrum of a single crystal GeS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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